什么是光伏电池光衰？

 光伏组件生产完成后，组件功率正常，但在光伏电站安装运行时，发现组功率衰减较大，主要是由光伏电池光衰减引起的。光伏电池的光衰减可分为初始光衰减和老化衰减两个阶段。

  初始光致衰减

  初始光衰减，即光伏组件的输出功率在使用前几天大幅下降，但随后趋于稳定。造成这种现象的主要原因是P型(掺硼)晶体硅片中的硼氧复合少子寿命。通过改变P型掺杂剂，用作物代替硼可以有效减少光衰减；或者对电池片进行预光处理，即在组件制造前，光伏组件的初始光衰减可以控制在很小的范围内，提高组件的输出稳定性。

  电池片的光衰更多地与电池片制造商有关。组件制造商的意义在于选择高质量的电池片来减少光衰减的影响。

  老化衰减

  老化衰减是指长期使用中功率下降非常缓慢的主要原因，与电池衰减缓慢有关，也与包装材料的性能退化有关。其中，紫外线照射导致组件主要材料性能退化的主要原因。紫外线的长期照射使EVA及背板（TPE结构)老化变黄，导致组件透光率下降，进而导致功率下降。

  这就要求组件制造商选择EVA背板必须严格检查，所选材料必须具有优异的耐老化性，以减少辅助材料老化引起的部件功率衰减。

  光衰减机制

  P30多年前观察到了晶体硅太阳能电池的早期光衰减，然后进行了大量的科学研究。特别是近年来，科学研究发现，它与硅片中的硼氧浓度有关。人们基本相同的观点是，光或电流注射会导致硅片中的硼和氧形成硼氧复合物，从而降低少子的寿命，但退火后，少子的寿命可以恢复，其可能的反应是：

  据文献报道，含硼和氧的硅片在光照后的少子寿命会有不同程度的衰减。硅片中的硼和氧含量越大，在光照或电流注射条件下在体内产生的硼和氧复合物越多，其少子寿命就越大。在低氧、作物和磷的硅片中，随着光照时间的增加，少子寿命的整体衰减幅度很小。

  解决措施

  1.提高硅单晶质量

  太阳能电池性能的早期光衰减主要发生在单晶硅太阳能电池上。对于多晶硅太阳能电池，其转换效率的早期光衰减非常小。可以看出，硅片本身的性质决定了太阳能电池性能的早期光衰减程度。因此，有必要解决光伏组件的早期光衰减问题。我们必须从解决硅片问题开始。以下是一些讨论方案。

  A、提高硼P型直拉单晶硅棒的质量

  一些单晶棒的质量确实令人担忧。如果这种情况不能有效地改变，将严重影响掺硼直拉单晶产品中光伏产业健康发展的主要问题和改进措施：

  1)由于原高纯多晶硅与一些不应使用的基磷和其他有害杂质含量高的硅混合。使用这种材料生产的太阳能电池不仅效率低，而且早期光衰减非常大。我们强烈要求不要使用低质量的硅。

  2)高纯多晶硅中掺入过多低电阻N型硅料IC废N型硅片等。CZ硅棒是一种高补偿的P型单晶材料。虽然电阻率合适，但硼一氧化氢浓度非常高，导致太阳能电池性能的早期光衰减。我们强烈要求不要使用低电阻N型硅。

  3)拉杆工艺不合格，晶体硅氧含量高，内应力大，位错缺陷密度高，电阻率不均匀，直接影响太阳能电池的效率和稳定性。我们希望改进拉杆工艺。控制氧含量。

  由上述硅片制成的电池具有较大的早期光衰减，将超出客户可接受的范围。事实上，直拉单晶工艺非常成熟，只要我们关闭材料质量，按照正式的拉杆工艺生产，硅棒的质量就可以得到更好的控制。

  B、采用磁控直拉硅单晶工艺（MCZ）提高单晶硅棒产品质量

  该工艺不仅可以控制单晶中的氧浓度，还可以提高硅单晶纵向和径向电阻率的均匀性。

  C、采用区熔单晶硅工艺（FZ）提高单晶硅棒产品质量

  区熔单晶硅工艺避免了直拉过程中大量氧进入硅晶体的固有缺陷，从而彻底解决了P型(硼)太阳能电池的早期光衰减。FZ工艺成本高，主要用于IC硅片和其他半导体器件一起制造，但目前已经制造出来了FZ该工艺进行了相关改造，降低了成本。适用于制造太阳能电池硅片。在这方面进行了试生产

  D、用镓代替硼来改变掺杂剂

  硅片制成的电池未发现太阳能电池的早期光衰减，也是解决太阳能电池早期光衰减的方法之一。

  E、用掺磷的N型硅片代替掺硼的P型硅片

  使用高硅片也是解决电池初试光衰减问题的方法之一。然而，从目前的工业丝网印刷高 级电池技术来看，高 级电池在转换效率和制造成本方面没有优势，一些关键技术需要解决

  2.先前光衰减电池片

  由于光伏组件的早期光衰减是由电池的早期光衰减引起的，因此电池的早期光衰减发生在组件制造之前。光伏组件的早期光衰减非常小，可以完全控制在测量误差中。同时，它也大大降低了光伏组件出现热点的可能性。