品牌:ST/意法
型号:STW8NB100
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:D/变频换流
封装外形:CHIP/小型片状
材料:N-FET硅N沟道
最大漏极电流:5
开启电压:3
夹断电压:3
最大耗散功率:5
美国福斯特半导体为你提供
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型号:STW8NB100
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:D/变频换流
封装外形:CHIP/小型片状
材料:N-FET硅N沟道
最大漏极电流:5
开启电压:3
夹断电压:3
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