大尺寸半导体硅单晶材料获得突破，毫无疑问，决对能够加速我国芯片行业发展！
众所周知，我国在芯片制造行业是落后的，现在举全国之力发展芯片行业，就是想在芯片领域有所成就！目前我国芯片领域急需要解决的是高技术材料、芯片制造、制造芯片的设备“光刻机”。一、芯片制造急需的高技术材料已解决。西安理工大学刘丁教授团队和西安奕斯伟硅片技术有限公司紧密协作，共同研制，新一代大尺寸集成电路硅单晶生产设备，在西安实现试产成功。大尺寸半导体硅单晶材料，也是制约我国集成电路产业发展的“卡脖子”问题。这次成功研制出直径300毫米、长度2100毫米的高品质硅单晶材料。历史性突破，国内自主研发的国产装备实现了拉制成功大尺寸、高品质集成电路级硅单晶材料。在该领域实现突破，对满足我国集成电路产业发展意义重大。
二、芯片制造产业链的四个工艺环节，设计、测试、封装、制造，我们都达到了世界最先进的水平。1、设计有华为海思这个世界级芯片企业，目前成绩斐然，已经超过了美国的高通和英特尔，站在了世界最高峰。
2、测试、封装环节有长电科技、通富微电等世界级先进企业；前段时间长电科技有限公司也取得了好成绩，测试、封装上达到世界一流水平。
3、芯片制造的中芯国际也传来好消息，梁孟松任CEO后大搞技术研发，改革制造工艺，只用短短三年时间，28nm、14nm、12nm及n+1等技术均已进入规模量产，7nm技术的开发也已经完成，明年四月就可以马上进入风险量产···5nm和3nm的最关键最艰巨的8大项技术也已经有序展开，只待EUV光刻机的到来，就可以进入全面开发阶段”。“从28nm到7nm”,共五个世代的技术开发只用了三年，这是国际上任何一个公司都不可能完成的事情！恰恰梁孟松带领中芯技术人员完成了！
三、芯片制造的设备“光刻机”目前还没有达到世界先进水平。据可靠消息，中国科学院目前正组织专家教授团队攻克这一难关，相信不久就会传来好消息！随着我国对集成电路领域的大力支持和专研，将来还会有更多的突破和成功！只有自己掌握了真正的核心技术才能不再受制于人！大尺寸半导体硅单晶材料获得突破，毫无疑问，在加速我国芯片行业发展当中起到了至关重要的作用！
希望全国人民在党中央领导下，上下齐心、撸起袖子、甩开膀子努力拼搏，加油！加油！高端芯片很快成功。
此前华为被美国禁令限制后处处碰壁的困境，已经向我们展示了半导体技术滞后带来的严重后果。没有自己的技术，缺乏足够的产能，在芯片方面就会处处受制于人。
目前我国在芯片上遭遇的难题主要有三个方面：
1高品质原料“单晶硅”产能不足2芯片制造工艺落后3缺少芯片制造设备——光刻机一直以来，我国单晶硅产能不足，主要依赖于进口，这是严重制约我国集成电路产业发展的“卡脖子”问题。
先来说说“单晶硅”。
单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性，是一种广泛应用于半导体相关行业的重要材料。
虽说单晶硅的制备工艺并不复杂，但是其纯度和性能对于生产工艺要求极高，我国目前单晶硅生产技术相较于日本和欧美仍有较大差距。
我国虽然也有自己的单晶硅产线，但其中一些关键设备，如单晶硅生长设备大多是从国外进口。
产能低下，缺乏核心技术，这也是我们目前不得不依赖于进口的原因。
近日，由西安理工和奕斯伟共同研制的国内首台大尺寸硅单晶生长设备实现一次试产成功，开发出直径300毫米、长度2100毫米的高品质单晶硅材料。
这意味着什么呢？
我们掌握了属于自己的单晶硅生长设备制造技术，意味着中国打破了美国方面的技术封锁，至少在原材料这一块，中国不会再受制于人。
今后我国将不再主要依赖于进口，能够实现自主量产高品质单晶硅，对我国半导体行业发展意义重大。
中国人聪明智慧，会有帮助的。
