封装的工艺流程是半导体制造中的重要环节之一，用于将成品芯片封装到底部具有金属引脚或球的塑料外壳中。以下是一般的封装工艺流程：
1. 硅晶圆准备：晶圆首先经过切割、玻璃钝化处理和清洗等步骤。
2. 固定晶片：将芯片粘在底座上，并使用特殊工具进行定位。
3. 导线焊接：用线或球连接芯片与引脚，然后将它们粘贴到芯片的侧面。
4. 塑料注射成型：将塑料颗粒加热并注入到模具中，在高压下形成带有引脚或球的塑料外壳。
5. 清洗和测试：清洗残留物并进行质量检测，以确保每个封装芯片符合规格要求。
6. 割裂：随后，外殼将被切断，并在适当的位置上标记编号等信息。
7. 包装：最后，完成的芯片被放置在耐静电环境下的密封包装中，准备发货。
以上是一般的封裝過程，在實際的操作過程中可能會因應不同的產品需求而有所調整。
封装工艺的流程是提供半封装晶圆，所述半封装晶圆上具有切割道以及芯片的金属焊垫；在切割道上形成第一保护层；在金属焊垫上形成球下金属电极；在所述球下金属电极上形成焊球；沿所述切割道对晶圆进行划片。
该发明所述的第一保护层能够使得切割道内的金属不被电镀析出，且在切割后能够保护分立芯片的侧面，工艺流程简单，提高了封装效率以及成品率。
1.封装工艺流程 一般可以分为两个部分，用塑料封装之前的工艺步骤成为前段操作，在成型之后的工艺步骤成为后段操作。
2.芯片封装技术的基本工艺流程：硅片减薄 硅片切割 芯片贴装，芯片互联 成型技术 去飞边毛刺 切筋成型 上焊锡打码等工序。
3.硅片的背面减薄技术主要有磨削，研磨，化学机械抛光，干式抛光，电化学腐蚀，湿法腐蚀，等离子增强化学腐蚀，常压等离子腐蚀等。
4.先划片后减薄：在背面磨削之前将硅片正面切割出一定深度的切口，然后再进行背面磨削。
5.减薄划片：在减薄之前，先用机械或化学的方式切割处切口，然后用磨削方法减薄到一定厚度之后采用ADPE腐蚀技术去除掉剩余加工量实现裸芯片的自动分离。
6.芯片贴装的方式四种：共晶粘贴法，焊接粘贴法，导电胶粘贴法，和玻璃胶粘贴法。
共晶粘贴法：利用金-硅合金（一般是69%Au,31%的Si），363度时的共晶熔合反应使IC芯片粘贴固定。
7.为了获得较佳的共晶贴装所采取的方法，IC芯片背面通常先镀上一层金的薄膜或在基板的芯片承载座上先植入预芯片
8.芯片互连常见的方法有，打线键合，载在自动键合（TAB）和倒装芯片键合。
9.打线键合技术有，超声波键合，热压键合，热超声波键合。
10.TAB的关键技术：1芯片凸点制作技术2TAB载带制作技术3载带引线与芯片凸点的内引线焊接和载带外引线焊接技术。
11.凸点芯片的制作工艺，形成凸点的技术:蒸发/溅射涂点制作法，电镀凸点制作法置球及模板印刷制作，焊料凸点发，化学镀涂点制作法，打球凸点制作法，激光法。
12.塑料封装的成型技术，1转移成型技术，2喷射成型技术，3预成型技术但主要的技术是转移成型技术，转移技术使用的材料一般为热固性聚合物。
13.减薄后的芯片有如下优点：1、薄的芯片更有利于散热；2、减小芯片封装体积；3、提高机械性能、硅片减薄、其柔韧性越好，受外力冲击引起的应力也越小；4、晶片的厚度越薄，元件之间的连线也越短，元件导通电阻将越低，信号延迟时间越短，从而实现更高的性能；5、减轻划片加工量减薄以后再切割，可以减小划片加工量，降低芯片崩片的发生率。
14. 波峰焊：波峰焊的工艺流程包括上助焊剂、预热以及将PCB板在一个焊料波峰上通过，依靠表面张力和毛细管现象的共同作用将焊剂带到PCB板和元器件引脚上，形成焊接点。
波峰焊是将熔融的液态焊料，借助于泵的作用，在焊料槽液面形成特定形状的焊料波，装了元器件的PCB置于传送链上，经某一特定的角度以及一定的进入深度穿过焊料波峰而实现焊点的焊接过程。
再流焊：是通过预先在PCB焊接部位施放适量和适当形式的焊料，然后贴放表面组装元器件，然后通过重新熔化预先分配到印制板焊盘上的焊膏，实现表面组装元器件焊端或引脚与印制板焊盘之间机械与电气连接的一种成组或逐点焊接工艺。
15.打线键合（WB）：将细金属线或金属带按顺序打在芯片与引脚架或封装基板的焊垫上形成电路互连。打线键合技术有超声波键合、热压键合、热超声波键合。
载带自动键合（TAB）：将芯片焊区与电子封装外壳的I/O或基板上的金属布线焊区用具有引线图形金属箔丝连接的技术工艺。
倒装芯片键合（FCB）：芯片面朝下，芯片焊区与基板焊区直接互连的一种方法。
16. 芯片互连：将芯片焊区与电子封装外壳的I/O或基板上的金属布线焊区相连接，只有实现芯片与封装结构的电路连接才能发挥已有的功能。
